电子掺杂铜氧化物高温超导体Pr1-xLaCexCuO4(PLCCO)越来越吸引学者们的关注，PLCCO具有相对宽的掺杂范围和相对弱的稀土元素磁矩，因此有着在超导机理和磁性能研究上的重要性。近年来，PLCCO单晶已在多方面得到了研究，但由于其薄膜制备上的困难，至今还未见其薄膜方面研究的工作报道。　　 本论文工作以磁控溅射方法制备了c轴高度取向的单相电子掺杂PLCCO薄膜，详细讨论了薄膜的生长条件和机理、影响薄膜超导电性和输运性质的因素。发现沉积温度和退火处理对于获得高质量的PLCCO薄膜来说是非常重要的。对于最佳掺杂的Pr1xLaCexCuO4(PLCCO) x～0.10薄膜，笔者获得其T。为23.5K，相关文献中报道其单晶的最高T。为24～26K。　　 论文的另一部分是对于目前广泛感兴趣的稀释磁性半导体的工作，笔者对高剂量注入Cr离子的p型Si(100)的磁性质和微结构进行了研究。对于被注入Cr离子的样品在很宽的温度范围内观测到了磁滞回线，同时我们对比了退火前与在800℃退火后的样品的磁性质和微结构。并将结果与Mn离子注入Si进行比较。这一研究也许可以在未来应用到自旋电子学器件。