该项目研究的领域是半导体功率开关器件,研究对象为高压功率快恢复二极管(FRD).高压功率快恢复二极管是功率电子技术中的关键元件,其性能要求为反向恢复速度快且软度大、反向漏电小和正向压降低等.不论是传统的扩金、扩铂、及电子辐照,还是新发展的He<2+>、H<+>离子注入局域寿命控制技术(ALLC)都还未很好地解决器件电特性的折衷问题.现有实现局域寿命控制技术的仅有技术是以氢离子或氦离子注入产生的局域高密度缺陷来形成局域低寿命区,但该种缺陷造成快恢复二极管反向漏电极大从而限制了局域寿命控制技术提高开关速度和软度的效果.又已知掺铂的快恢复二极管的复合中心具有较理想能级位置,反向漏电特别小,而且最新发现氢离子注入产生缺陷在退火中可吸取硅表面的铂使之转化为类似辐照感生缺陷的铂掺杂的分布.据此,该项目提出用氢注入缺陷转化为铂杂质的方法在FRD中形成局域铂掺杂的低寿命区来克服现有局域寿命控制技术漏电大的问题.通过试验我们发现利用质子辐照的感生缺陷对铂硅电极中铂的汲取作用来进行寿命控制的方法对二极管的正向特性、反向特性均有明显的影响,可以作为一种局域寿命控制技术,并由试验结果的分析得出了较好的汲取条件,包括汲取的剂量、温度以及退火时间等.但是,就减小反向恢复时间trr来说,可能由于在所定的条件下汲取后引入的铂的总量不够大,trr偏长,该创新技术仍有待于进一步的理论及实验研究.这种实现局域寿命控制技术创新技术同时也适用于IGBT、GTO以及SCR等,对提高这类功率器件的性能具有重大实用价值和一定理论价值.