作为现代科技发展的核心,集成电路具备成本低、体积小、运行速度快等诸多优点,已在众多领域得到应用。随着集成度和运算速度的日益提高,集成电路也更容易受到电磁干扰。集成电路受到电磁干扰后,会造成其内部逻辑混乱,使之发出错误信号或指令,从而导致电子产品的工作稳定性下降,甚至造成集成电路芯片不可恢复的烧毁,使电子产品无法正常工作,严重时还会影响工作人员的人身安全。因此,集成电路的电磁干扰问题得到了工业和学术界的广泛关注。本文以智能电子锁电磁干扰为切入点,基于电子锁电磁失效的内部机理,研究集成电路的电磁干扰问题。首先,通过采集电子锁干扰器的干扰波形数据并对数据进行拟合分析得出干扰波形曲线,并根据干扰波形设置电磁干扰源对电子锁干扰线圈进行电磁干扰仿真建模,初步分析其电磁干扰环境以便指导实际试验。其次,利用横向电磁场(Transverse Electric and Magnetic Field,TEM)小室构建干扰电磁环境,并搭建集成电路外围电路以组成测试系统,得出集成电路芯片的电磁干扰影响因素。考虑试验安全及严谨性,为搭建干扰电磁环境先后测试分析了两款普遍应用于电子设备中的集成电路芯片,并进行辐射抗扰度测试。采用自主研发的高功率微波TEM小室和现场可编程逻辑门阵列芯片进行探究性的试验环境搭建,成功产生所需电磁干扰环境后,选择另一款常见电子锁集成电路芯片对其搭建电子锁外围基本电路作为测试辅助系统,进行集成电路的电磁辐射抗扰度试验,探究其在电磁干扰环境下的干扰耦合效应影响因素。最后从敏感设备出发,进行集成电路的近场扫描试验,以观察其近场电磁环境分布。试验结果显示集成电路在电磁场环境干扰下的耦合因素主要与芯片键合丝封装、干扰角度及位置、干扰场强、干扰频率有关。1)芯片封装键合丝越长耦合效应越明显,2)干扰线圈所产生的电磁场、芯片在电磁场中的封装角度和所处电磁位置对耦合电压的大小影响具有一定的方向性,不同角度位置下芯片耦合电压不同;3)干扰场强与电磁耦合电压成正比;4)干扰频率对电磁耦合的影响也呈现选择性,相同试验条件不同频率耦合效应不同。本文试验成果可为集成电路芯片研发人员及应用工程师提供参考,以提高芯片可靠性和电子产品的电磁兼容性,也为后续的电磁防护和进一步的集成电路级的电磁兼容探索提供借鉴。