论文研究了铽镓石榴石晶体的多晶制备和单晶生长。并对生长出的晶体进行了性能测试与分析。采用共沉淀法和固相法两种方法进行了铽镓石榴石多晶原料制备。对两种方法制备出的多晶原料进行了热重示差扫描量热、X射线衍射、红外光谱、X射线光电子能谱、拉曼光谱和扫描电镜测试。结合测试结果确定了这两种方法的最佳工艺条件。制备出了高质量的多晶原料。采用提拉法,在拉速1-1.5mm/h,转速10-15r/min,保护气氛为纯N2或85%N2+15%CO2的工艺条件下生长出了外形完整,无宏观缺陷的铽镓石榴石单晶。研究了不同工艺条件对晶体质量的影响和晶体生长过程中缺陷的控制。将生长出的晶体定向、切割、抛光后,进行了X射线衍射、透过率、吸收率、X射线光电子能谱、拉曼光谱、折射率和消光比测试。测试结果显示生长出的铽镓石榴石晶体具有较高的纯度,较大的透过率和折射率,较小的吸收率和消光比。采用消光法对生长出的晶体进行了532nm、632nm和1064nm波长处的法拉第旋角测量,费尔德常数计算,并结合晶体在该波长下的吸收系数计算了532nm、632nm和1064nm波长下晶体的磁光优值。测试结果显示,生长出的晶体在各个波长下均具有较大的费尔德常数。确定了铽镓石榴石晶体的易磁化方向,研究了顺磁性材料费尔德常数的影响因素。