随着半导体技术发展,相控阵雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量、航天等系统需要体积小、抗干扰能力强的功能电路,MMIC以其体积小、重量轻、功耗小等优点得到了广泛的应用,而pHEMT MMIC无论是在高频、功率特性,还是在带宽方面都具有巨大的优势,是当前国内外研究开发的热点。本文介绍了一个工作在17~43GHz频段的四级单片集成中等功率放大器,采用某公司0.15um pHEMT工艺,在整个频段达到了25±3dB的增益以及22dBm的输出功率1dB压缩点。输入级电路采用行波输入/功率合成输出结构,具有良好的宽带阻抗匹配特性,同时可在K-Ka产生二倍频或者三倍频。工作于二倍频偏置状态,该电路在输入功率9dBm条件下,9-22GHz频段内可达到典型值15dBm的输出功率;工作于三倍频偏置状态,该电路在输入功率9dBm条件下,6-12GHz频段内可达到典型值10dBm的输出功率。