本文系统的研究了两类耦合量子点系统中载流子的输运特性。首先讨论了库仑耦合量子点对单电子晶体管输运的影响。其次研究了外场驱动下的耦合量子点,重点考察了载流子的动力学特性和电子的纠缠。本文的工作安排如下:第一章,首先介绍了半导体量子点的一些基础知识,包括量子点的基本概念,制备方法,量子效应和单电子晶体管,以及外场驱动下一些性质和基本理论。其次给出了耦合量子点中量子计算一些知识。第二章,我们利用Keldysh非平衡格林函数,研究了镶嵌在n-n结间库仑耦合量子点的量子隧穿过程。得到了通过主量子点的隧穿电流的解析表达式。用过数值和解析的方法,讨论研究了第二个量子点的引入对整个系统的影响。第三章,利用两点的哈伯德模型和Floquet方法,研究了耦合量子点中荷电激子的动力学特性,对比讨论了数值解与近似解析解。通过调节外加交流场参数控制八个荷电激子态的跃迁,构造了两种近似量子比特,通过分析这两种量子比特讨论了电子动力学演化最大贝尔态与Concuerrence。第四章,给出了本文的总结和展望。