VDMOS相关论文
VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是功率器件重要的组成部分,也是构成电源开关、DC-DC变换器的核心器件......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
A novel structure of a VDMOS in reducing on-resistance is proposed.With this structure,the specific on-resistance value ......
Total dose effects and single event effects on radiation-hardened power vertical double-diffusion metal oxide semiconduc......
The RC-IGBT(reverse conducting insulated gate bipolar transistor) is a new kind of power semiconductor device which has ......
大多数开关电源都朝着高速、高效率、高集成度的方向发展,其产生的电磁干扰(EMI,Electromagnetic interference)问题愈来愈严重,同......
功率半导体是是电子电力领域的重要元器件,在全场景的控制系统中都扮演者重要角色。技术推进到现在,VDMOS凭借其输出功率大、开关......
功率VDMOS器件凭借着承受电压高、承受电流大、开关速度快和频率特性稳定等众多优点被广泛应用于航天电子设备中,但宇宙空间中的带......
随着功率半导体器件的不断发展与电子电力技术的进步,其可靠性一直是电子科学与技术领域关注的重点。功率循环试验是利用科学假设......
功率MOS场效应晶体管在功率器件领域发展迅猛,高压VDMOS(Vertical Double-diffused MOSFET)作为功率MOS的主要器件之一,引起了相关......
目前,很难找到介绍关于VDMOS参数的测试方法的文献,而且所能找到的文献主要介绍的都是VDMOS的基本测试方法,且多是静态参数。而VDM......
超结结构突破了普通VDMOS的"硅限",获得了正向导通与反向耐压之间的良好折中,而半超结结构克服了超结结构耐压要求与工艺难度之间......
为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件.通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器......
由于固态功放在性能、线性、结构、供电,维护等方面具有明显的优势,因此在广播、电视等发射领域中得到了广泛的应用.本文对全固态......
河北普兴电子科技股份有限公司的8英寸VDMOS用硅外延片荣获2008年度中国半导体创新产品和技术奖.......
研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiC VDMOS结构特性的影响。结果表明,4H-SiC器件具有更高的电流密度,因此,4H-SiC比6H-SiC更......
研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......
垂直双沟道场效应晶体管（VDMOS）产品制备过程，在生长完场氧化后，需要进行P+离子注入工艺，在注入之前生长的阻挡氧化层，通常称之为牺牲氧......
主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700VVDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给......
现介绍了低压大电流VDMOS功率晶体管的研制。这次研制的VDMOS设计耐压为100V,直流最大电流75A,导通电阻0.014Ω。考虑到方便生产线......
基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导......
利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS......
针对N＋掺杂区设计了一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构,新结构中源极N＋掺杂区为梯形结构。该结构减小了元胞的尺寸,提高了单......
以Spice电路模拟的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等效电路优化模型,用压控电阻(VCR)等效IGBT的宽基区电导调制效应取得了很好的效果.基于......
分析了国产VDMOS（Vertical Double—diffusion MOSFET）总剂量试验数据，并比较了辐照环境中不同偏置下电学参数的变化差异，发现新工艺研......
基于集总电荷原理,分析了功率垂直双扩散MOS(VDMOS)开关过程各阶段极间电容CGS和CGD的变化,建立了连续的CGS和CGD的模型,利用产品......
该文以混合集成VDMOS管为对象进行功率循环试验，将温循试验后的热阻变化进行对比分析。首先基于结构函数对VDMOS样品的热阻变化的因......
研究了高压VDMOS内部电子流向的变化，提出了其近似解析表达式，在此基础之上，求得了电子密度分布变化的解析表达式，从而建立了高压VDMOS......
分析了功率VDMOS晶体管在小尺寸时准饱和效应的成因,并对其进行了理论证明和模拟验证.研究结果表明,在晶体管导通状态下,由于寄生J......
提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型（HASPM）。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电......
当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出，这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度．为解决现有B......
本文介绍了一种集成双极型、CMOS和VDMOS于同一芯片上的智能功率集成电路.以开关电源为目标,介绍了各电路功能块的原理,对电路,版......
分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI......
针对TO-220AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了......
在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主极方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要......
功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡，从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式，给......
基于Arrhenius模型，对功率器件垂直导电双扩散（VDMOS）场效应晶体管的可靠性进行了评价，并对其主要失效机理进行了分析。通过样管在不同......
分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数，为了减少寄生电容，提高开关速度，在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构。该方法是......
为了研究 VDMOS 器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理，详细分析了600 V VD-MOS 器件体二极管的工作过程，采用 TCAD 模拟软件研究......
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS器件）模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极......
为了满足功率电路及系统设计对碳化硅基垂直双注入金属氧化物半导体晶体管（VDM OS）模型的需求,建立了一套基于表面势计算方法的可描......
介绍一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS.通过与传统的元胞型结构比较,发现条形栅具有导通电阻小、开关速度快......
提出了一种采用半绝缘SOI的新型BCD结构,该结构把高压大电流VDMOS,CMOS和双极器件同时可靠地集成在一起,其特点是集成了垂直导电的......
通过Dracula版图参数提取工具对某型号VDMOS金属层提取电阻模型，并对此模型进行Hspice模拟，确定了金属层厚度大于5μm时，金属层电阻对......
