【摘 要】
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该论文着重于SrBiTaO(SBT)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及疲劳、保持和抗辐照能力等可靠性能的研究.这些研究对于FRAM用的SBT薄膜材料的制备、性能及实际应用有一定的指导作用.
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该论文着重于SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(SBT)层状钙钛矿铁电薄膜的制备及疲劳、保持和抗辐照能力等可靠性能的研究.这些研究对于FRAM用的SBT薄膜材料的制备、性能及实际应用有一定的指导作用.运用MOD技术在Si/SiO<,2>/Ti/Pt上制备出了性能优异的SBT铁电薄膜材料.为了降低SBT的晶化温度,研究人员首次研究了非晶薄膜SBT的激光晶化并取得了一定的效果.系统的研究SBT薄膜的疲劳特性.铁电材料保持特性也是铁电存储器应用可靠性的一个重要因素.对SBT的保持性进行了研究表明,在去掉外加电压的最初阶段,剩余极化有一个明显的下降,在随后的阶段,极化衰减趋于缓和和稳定.研究了SBT的抗紫外光辐射性能.研究人员还对比研究了样品的厚度,晶粒大小(退火温度),测试温度,退火气氛等对SBT介电性能和交流漏导的影响.
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