文章围绕着氧化锌（Zn O）这种传统半导体材料展开探索,目标是用来解决环境污染问题。通过研究Zn O的催化性能来解决环境严重污染和各种能源缺乏的问题的方法已经是目前研究的重点。经过多年的研究,科学家们已经尝试了多种手段进行提升Zn O的催化性能。本文主要从晶面调控、掺杂各种金属和与其他材料的复合等方面进行研究。第一章内容,主要介绍纳米半导体材料的研究背景和发展过程,首先是Zn O半导体的发展过程,其次是光催化技术的机制原理和研究背景。最后介绍了提高Zn O光催化活性的方法和途径。第二章内容,主要是研究柠檬酸对Zn O微纳米球的影响。通过简单的溶剂热方法合成了不同柠檬酸添加量的样品Zn O。发现不同柠檬酸添加量对Zn O微纳米球的形貌有很大影响,适当的柠檬酸添加量,可以形成（0001）活性晶面高暴露的特殊镶嵌型Zn O微纳米球,并且能增大缺陷浓度,提高Zn O的光催化性能。第三章内容,主要研究Ag/Zn O复合材料的光催化性能。通过调控硝酸银的添加量不同,来测试复合材料Ag/Zn O的性能变化。研究表面,利用Ag的表面等离子体共振效应的影响,使Zn O在可见光下有很强的吸收,通过测试其光催化性能,可以知道掺杂合适量的Ag粒子能够大大地提高Zn O的光催化性能。第四章内容,主要研究三元异质结g-C₃N₄/Ag/Zn O的光电性能和光催化降解性能。通过降解不同的染料试剂、酚类试剂和抗生素可以知道三元异质结g-C₃N₄/Ag/Zn O具有良好的光催化活性;通过光电流和阻抗确定了三元异质结g-C₃N₄/Ag/Zn O具有优越的光电性能。第五章内容,主要研究异质结g-C₃N₄/Zn O的光催化性能。通过调控g-C₃N₄的复合量的不同,来探究对复合材料g-C₃N₄/Zn O的光催化性能的影响,并且研究其异质结的光催化机理过程。第六章内容,主要是对前面五章的内容进行总结,而且并提出了一些文章的创新点和需要进一步改进的地方。在本论文中,成功地实现了对Zn O的晶面调控,使Zn O的活性晶面更多的暴露;通过掺杂贵金属Ag和与半导体g-C₃N₄的复合,成功地降低了Zn O的禁带宽度,使其在可见光下响应;三元异质结g-C₃N₄/Ag/Zn O的合成,表现出杰出的光催化降解效率和光电性能。