随着5G移动通信的迅猛发展,当前5G工作频段分为Sub-6GHz和毫米波频段,其中毫米波先行频段为24.25-33.4GHz。5G时代的到来,意味着移动通信设备需要同时支持更多的制式和频段以及非蜂窝式服务,这使得作为收发系统的中坚力量的射频开关近年来也迎来了属于它的研究热潮。本论文立足5G两个频率段的需求,设计了一个工作在0.1-6GHz的单刀四掷（SP4T）射频收发开关和一个工作在24.25-33.4GHz毫米波频段的单刀双掷（SPDT）射频收发开关。其中,工作在0.1-6GHz的高功率容量SP4T开关是基于0.18um SOI CMOS工艺进行设计。采用晶体管层叠法提升功率处理能力,但在传统偏置下由于开关管的栅体区无法达到理想的隔离从而导致了关断堆叠链路电压分布不均匀的现象,因此本文提出一种新型的偏置架构,可以较好地解决这一问题,提出的结构巧妙利用串联分压的准则实现了堆叠链的均匀分压,进而提升了整体的功率处理能力,此外,由于减小了信号泄露,插入损耗也相应得到优化。基于此技术实现的SP4T开关芯片面积为0.85×0.82mm2,测试结果显示,在每个导通/关断支路,插入损耗和隔离度在0.96/1.9/2.7/3.6/6GHz时最差值分别是0.24d B/0.34d B/0.46d B/0.45d B/0.72d B、31.3d B/25.5d B/23.5d B/20d B/15.7 d B。在0.1-6GHz整个频段范围内,回波损耗最差值为14 d B。0.1 d B压缩点（P0.1d B）大于39d Bm,二次谐波（H2）和三次谐波（H3）在输入功率为26d Bm、频点为0.9/1.9/2.6GHz时分别为-73.5d Bm/-73d Bm/-75d Bm、-77d Bm/-73d Bm/-75d Bm。此SOI SP4T开关芯片实现了较好的射频性能。工作在24.25-33.4GHz毫米波波段的低插损高隔离度SPDT开关采用0.15um GaAs pHEMT技术进行设计。在毫米波波段,由于频率更高,寄生效应变得更加显著,导致串并联经典架构损耗极大且隔离度也难以满足需求,故此结构在毫米波波段已不再适用。为此,本文采用串联传输线加多枝节并联晶体管的结构,将整个开关结构当成滤波器问题进行优化,一方面,采用四分之一波长阻抗变换器替代串联晶体管结构,实现了较好的输入匹配,从而显著降低了插入损耗;另一方面,在确保插入损耗满足指标要求的前提下,为大幅度提高隔离度,采用基于滤波器合成原理设计了一个三节枝晶体管并联架构。基于此架构实现的毫米波GaAs pHEMT SPDT开关芯片面积为2.1×1.1mm2,在片测试结果显示,在24.25-33.4GHz工作频段内插入损耗小于1.12d B,隔离度大于33d B,输入输出回波损耗大于11d B。该GaAs pHEMT毫米波开关各项性能均达到预期指标。