要提高硅基薄膜太阳电池的普及率,真正达到改变当前以化石能源为主的能源结构,必须三高一低,即提高效率、提高产率、提高稳定性与降低成本,减薄太阳能电池是其攻略之一,这就要求我们引入陷光结构.基于这个目的,研究并制备了在陷光结构中起重要作用的透明导电氧化物薄膜——ZnO.ZnO作为一种直接带隙的宽禁带材料是继GaN之后光电研究领域又一热门研究课题.其光电特性受缺陷的影响较小,在信息领域中有重要的作用.生长ZnO薄膜材料的方法很多,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、脉冲激光沉积(PLD)、原子层外延、溅射、蒸发等,其中MBE、MOCVD和PLD等方法生长的ZnO薄膜的质量较高.在这三者中,MOCVD方法在薄膜材料的生长方面有很多优点,如可以大面积均匀生长,精确控制膜厚及成分,重复性好,所以是生长ZnO薄膜材料的一种较好方法且最适合工业化需要的一种方法.这一部分的主要工作是采用MOCVD方法,以DEZn和H<,2>O为反应源,以B<,2>H<,6>为掺杂气体,力图在玻璃衬底上生长出大面积ZnO薄膜(20cm*20cm).对其均匀性、电特性(ρ、μ、n)、DEZn、H<,2>O和B<,2>H<,6>的流量对薄膜特性的影响进行了研究.为优化陷光效果,我们提出一种另类考虑方法,即计算入射光穿过在一定厚度的有源层的光利用率,以此来精确计算最佳的有源层厚度.并编译了微晶硅太阳电池陷光结构的计算机模型,此模型改进了硅基材料缺陷态的分布,在V型分布的基础上加进了高斯分布,背电极采用的是平面的ZnO/Ag材料.对影响电池J-V特性的各参数进行了优化.