论文部分内容阅读
传感器技术是人类认识和改造世界的“五官”,是衡量现代化进程的关键技术之一。压阻式压力传感器因其灵敏度高、稳定性好、能耗低、易于集成等优点,在航天航空、石油化工、医疗、汽车等领域应用广泛。在众多传感器中,半导体压力传感器因其性能优异而备受关注。碳化硅(SiC)是第三代半导体,具有宽带隙、高热导率、高电子迁移率、较高击穿电压以及优异的力学性能,在高温、高频和高辐射等苛刻环境下的器件应用上具有显著优势。围绕SiC压力传感器研发,已有的研究工作主要集中在薄膜、多晶和单晶块体材料。低维纳米材料因其特有的纳米效