【摘 要】
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本文采用磁控溅射方法制备了均一大尺寸环境半导体β-FeSi2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜研究了不同Fe膜厚度对制备β-FeSi2薄膜的影响以及不同退火条件(温度、时间)对大尺寸β-FeSi2薄膜的结构特征和显微结构的影响,并对制备的大尺寸Fe膜以及β-FeSi2薄膜通过SEM进行了均匀性分析。研究了不同Fe膜厚度对β-FeSi2薄膜生长的影响。研究结果表明：100 nm是最佳的Fe膜厚度,β-F
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本文采用磁控溅射方法制备了均一大尺寸环境半导体β-FeSi2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜研究了不同Fe膜厚度对制备β-FeSi2薄膜的影响以及不同退火条件(温度、时间)对大尺寸β-FeSi2薄膜的结构特征和显微结构的影响,并对制备的大尺寸Fe膜以及β-FeSi2薄膜通过SEM进行了均匀性分析。研究了不同Fe膜厚度对β-FeSi2薄膜生长的影响。研究结果表明：100 nm是最佳的Fe膜厚度,β-FeSi2的XRD衍射峰的数目最多,峰的强度也最大。在膜厚超过200 nm时,样品的主要成分为
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