ZnO是一种宽带隙半导体材料,室温下它的能隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。目前,ZnO由于在紫外光辐射、变阻器、透明高功率电子器件、表面声波器件、压电传感器、气敏传感器及作为显示器件和太阳能电池窗口材料方面的广泛应用而引起人们极大关注。本文主要研究了ZnO薄膜的生长及其光学性质和光电响应;制作了肖特基二极管和薄膜晶体管。本论文的主要内容和结果如下:(1)借用“热中子辐照硅片使部分硅嬗变为磷,从而将硅掺杂成n型”的思想,从质子嬗变角度讨论了实现ZnO材料的p型掺杂方案。(2)利用sol-gel旋涂法在普通盖玻片上生长了ZnO薄膜,用光学透射谱、光致发光谱和原子力显微术研究了ZnO薄膜的光学性质和表面形貌。结果发现,在一定薄膜厚度范围内,紫外发光带和光学吸收边均随着薄膜厚度的减小而单调蓝移,且紫外发光强度递增,峰宽变大。综合光致发光谱、光学透射谱和薄膜表面形貌,对导致光学性质随膜厚变化的原因进行了讨论;研究了厚膜ZnO的紫外光电导时间响应,得出ZnO材料具有很好的紫外探测性能结论。(3)用射频溅射法在镀有200 nm厚度铝膜的载玻片上生长了ZnO薄膜,后利用光刻工艺、镀膜工艺成功制备出肖特基二极管;并对其电学性质进行分析,计算了一些特征参数,势垒高度为0.709 V。(4)用激光分子束外延设备和射频溅射设备,在有180 nm/200 nm厚的栅氧化层的重掺杂p型<111>硅片上,生长了ZnO薄膜;后利用光刻工艺、镀膜工艺成功制备出薄膜晶体管。对其基本原理和电学性质及测试结果进行了讨论,并给予新现象合理解释。最后提出一个具有高迁移率ZnO薄膜晶体管的制备方案。