半导体气敏传感器在环境监测，安全生产等方面具有重要的应用。但是，半导体气敏传感器存在灵敏度低、选择性差、工作温度高等缺点。因此，这些问题的解决对于拓展半导体气敏传感器的实际应用范围具有重要意义。本文设计并制备了具有多孔特性的钼酸铁纳米棒，较好的解决了上述问题。1）首先利用水热方法制备了氧化钼纳米棒，在此基础上利用简单的化学方法合成出氧化钼/氢氧化铁异质纳米结构。其中，氢氧化铁以两种形式存在，即氢氧化铁薄膜和纳米片。薄膜的厚度和纳米片的厚度分别为30和50nm。2）将制备的氧化钼/氢氧化铁异质纳米结构在空气中退火4h，成功的制备出了多孔钼酸铁纳米棒。纳米棒的平均直径和长度分别为200nm和1.2-1.4m。在实验基础上提出了一种新的三元化合物纳米结构的制备机理，即原位扩散机理。3）利用多孔钼酸铁纳米棒制备了气敏传感器，测试了他们的气敏特性。发现该纳米棒对H2S气体具有优异的敏感特性：灵敏度高、选择性好、工作温度低。最后对其气敏机理进行了讨论。