论文首先介绍了半导体激光器的发展进程,从而说明了研究半导体的发光性质的必要性和重要性.然后介绍了半导体中的各种发光机制,指出在半导体激光器中激子的复合发光起着重要的作用.激子概念的提出对于半导体发光而言是一个重要的里程碑,它解释了能带论不能解释的实验现象(在禁带中存在能级分布),打破了单电子近似的局限,考虑到导带中的电子和价带中的空穴之间的库仑相互作用对于体系能级分布的影响.有关激子束缚态的研究一直是人们关注的热点,文章在大量调研的基础上,介绍了有关激子束缚态的理论和实验上的研究状况.该文采用Hylleraas坐标推导了二维情况下离子化施主束缚激子(D<+>,X)、离子化受主束缚激子(A<->,X)、磁场中的离子化施主束缚激子体系以及量子阱中受主束缚激子在磁场中的哈密顿算符的形式,并详细介绍了利用变分法计算束缚激子态的基态能的数值计算过程,给出了确定变分参数,求解体系基态能的计算程序.然后利用线性变分法计算了(D<+>,X)体系、(A<->,X)体系和磁场中的(D<+>,X)体系的基态能,并对结果进行了讨论.