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强场光电子全息是国际上近年来兴起的前沿研究方向，强场光电子全息是利用信号电子波包与参考电子波包的相干来形成强场光电子全息图像。由于强场光电子全息参考电子和信号电子均来自于强场电离过程，较之传统全息其再现过程更为复杂。目前的研究大多仍限于全息结构的建立，或从全息干涉结构中推断电子的某些超快动力学过程，以及从电子全息结构中再现离子、分子相位信息都具有重要的科学意义和潜在的应用价值。 本学位论文重点主要包括： 首先，我们分析了在中红外激光脉冲条件下，能量范围在2Up以下关于氩原子电离的二维强场光电子动量谱。通过使用普适的量子轨迹蒙特卡洛理论（Generalized Quantum-Trajectory Monte Carlo Method,GQTMC）计算方法的和求解含时薛定谔方程（the time-dependent Schrodinger equation，TDSE）的比较,并通过观察深隧穿电离条件下强场光电子动量谱，我们证明了一个圆环干涉结构的形成是来自周期间与周期内之间的电子轨道相互干涉作用形成的。此外,我们发现散射电子在形成圆环的干涉图样中可以忽略不计,同时圆环状的干涉图样掩盖了全息干涉结构。我们的研究结果为强场光电子全息术的实验观察了提供了必要的理论依据。 其次，我们将我们组的原子的GQTMC计算方法向分子的计算进行了拓展。首先我们从分子的电离几率出发，由电离率的定义式开始进行推导，成功推导出双原子分子电离率，我们利用能量守恒对出射电子的隧穿位置进行求解，得到了分子的隧穿位置，在此基础上考虑分子双中心势和激光电场共同作用下出射电子的经典运动过程与每一个电子对应轨迹的相位的处理，完成了适用于分子情况的GQTMC计算程序包。为了验证我们分子GQTMC程序的准确性，我们分别计算了成键与反键不同情况下分子的强场光电子动量谱，并与其他理论的计算、实验结果进行相比较；我们通过改变激光电场与分子轴之间的夹角进行了模拟计算，得到了与相关实验符合的结果，进一步的验证了我们的分子GQTMC程序的准确性。 最后，总结本论文的主要工作，并介绍将来需要进一步深入开展的研究内容。