【摘 要】
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本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（MPCVD）研究在氧化铝陶瓷基片上沉积[100]定向织构金刚石薄膜的生长工艺和机理探讨.研究表明,金刚石薄膜成核时,采用较低的系统压强,可在
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本文采用微波等离子体化学气相沉积方法（MPCVD）研究在氧化铝陶瓷基片上沉积[100]定向织构金刚石薄膜的生长工艺和机理探讨.研究表明,金刚石薄膜成核时,采用较低的系统压强,可在氧化铝陶瓷基片上获得较高成核密度（2kPa时,10<8>cm<-2>）;在1～6kPa系统压强的范围内,金刚石薄膜的成核密度随系统压强减小而增加.由此,我们提出一种MPCVD系统中金刚石薄膜成核的动力学模型.实验结果与上述模型的推论相一致,说明低压成核是一种有效的提高金刚石薄膜成核密度的方法.结合扫描光学显微镜、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和激光Raman散射光谱等手段对金刚石薄膜的表征,系统地研究了沉积条件（如衬底温度、CH<,4>浓度及系统压强等)对金刚石薄膜[100]定向织构生长的影响,特别是对金刚石薄膜表面形貌、结晶完整度和择优取向的影响,并提出了获得[100]定向织构金刚石膜的最佳工艺参数.
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