红外上转换器由于在红外成像领域的巨大发展前景而备受人们关注,近红外光电探测材料的制备是实现高性能上转换器件的关键。近年来,有机近红外光电探测器(Near-infrared photodetectors,NIR PDs)由于材料选择面窄、红外探测波段范围小等问题使其发展受到限制,而无机半导体锗由于其优良的电学和光学性能,引起了越来越多的研究和关注。通过分子束外延生长的单晶锗及锗锡合金在近红外表现出良好的吸收特性,并且制备出了基于以上两种材料且性能优异的探测器。基于锗在近红外的良好特性,本文以制备具有较好近红外光吸收特性的非晶锗薄膜为研究目标,主要开展了以下两个方面的研究工作。首先,通过真空热蒸镀法制备锗薄膜并对其红外吸收特性进行研究。通过对锗锡合金薄膜掺杂比例的选择,改变合金材料的带隙进而调节其吸收光谱。实验表明,随着锡掺杂浓度的增大,合金材料带隙减小,然而薄膜表面粗糙度增大。为了进一步改善薄膜吸收特性,对薄膜结构引入不同厚度的缓冲层。结果表明,通过加入较薄一层缓冲层能改善薄膜平整度,并提高薄膜吸收特性。其次,通过溶液旋涂制备的锗量子点薄膜在近红外波段表现出良好的吸收特性,因此选择锗粉为研究对象,分析材料结构性质,处理粉末表面物质并配制溶液,通过旋转涂布法制备锗薄膜。实验表明,浓度为1%的盐酸可以有效去除锗粉表面的二氧化锗,剧烈超声能较好改善溶液分散性。制备的锗薄膜及锗-NPB复合膜在近红外都有一定程度的吸收,且为非晶态锗的吸收。