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芯片是由晶体管集成的,科技的进步需要不断的提高芯片的集成度,而这就需要不断减小晶体管的尺寸,当晶体管的尺寸减小到一定程度,就......
半导体技术飞速发展,后摩尔时代正在到来,发展基于小尺寸的纳米材料的器件以提升集成电路集成度成为人们的选择之一。一维半导体纳......
近红外光电探测器在临床诊断、治疗设备等生物医学领域有着广泛的应用前景,新型二维过渡金属硫族化合物（2D TMDs）因其优异界面和光电......
光电探测器是一种将光信号转换为电信号的光电子器件,在现代科学和现实工业中有着非常重要的应用。尤其是在军事和民用领域中（夜视......
近年来，随着光纤通信的飞速发展，对光接收机的性能要求也越来越高。制备波长响应在1.3μm-1.5μm波段的高响应度、高速率、低噪声的......
开发高性能的近红外可视化器件在生物成像、食物检测、健康监测和环境分析等领域有着重要意义。近红外可视化器件由光探测单元和发......
为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电......
采用超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）技术在Si衬底上外延生长了PIN结构多层Ge量子点探测器材料。PIN探测器结构由N型Si衬底,多层Ge量......
以高纯Hg、In、Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞（MIT）多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直B......
本文制备了一种基于PdSe2/GaAs异质结的高灵敏近红外光电探测器,该探测器是通过将多层PdSez薄膜转移到平面GaAs上制成的.所制备的P......
采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析.结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴......
红外上转换器由于在红外成像领域的巨大发展前景而备受人们关注,近红外光电探测材料的制备是实现高性能上转换器件的关键。近年来,......
近红外聚合物光电探测器的光电特性灵活可调、与柔性基板兼容性好、制备工艺简单且成本低,在航空、军事、工业、医疗等领域具有较......
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近些年来,贵金属(如金、银)纳米结构已经被广泛采用来增加各类光电器件的性能,如光伏器件,光电探测器,波导器件等。作为传统贵金属......
IV-VI族胶体量子点是一种直接窄带隙半导体材料,这些材料具有明显的量子尺寸效应、表面效应以及多激子产生效应,可广泛应用于红外......
