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CuInS2是一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族半导体化合物,光吸收系数可达(1～6)×105cm-1,禁带宽度接近太阳能电池所需的最佳值(1.45eV),具有本征缺陷自掺杂,允许成分偏离化学计量比范围宽等特性,成为最具发展前途的太阳能电池材料之一。目前,在CuInS2薄膜材料的众多制备方法中,电化学沉积法是一种低温,非真空制备方法,大大节约了生产的成本。本文采用电化学沉积的方法,在ITO导电玻璃上沉积一层Cu-In合金膜,后通过硫化退火的方法得到CuInS2薄膜,通过X-射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见分光光度计等设备对薄膜进行表征。本论文取得的主要成果如下：1.首先采用电化学沉积法制备Cu-In合金膜,然后经过硫化退火处理得到CuInS2薄膜,该方法制得的薄膜表面致密均匀、结晶性能良好,厚度在0.15-0.40μm之间,吸收系数可达到105cm-1,禁带宽度约为1.48eV。通过研究沉积电位、电沉积液的组成和硫化退火过程对CuInS2薄膜表面形貌和结晶情况的影响,得到最佳制备条件。具体制备方法如下：配置Cu/In摩尔比为5mM:5mM的电沉积液,加入0.2M络合剂三乙醇胺(TEA), 0.01M缓冲剂柠檬酸钠(C6H5Na3O7·H2O),将pH值调控制在4.0左右。接通电路进行电化学沉积,在相对于参比电极(SCE)-1000mV电位下沉积30min,后在450℃条件下硫化退火90min。2.针对电沉积法制备的CuInS2薄膜进行一系列的光电性能测试,分别讨论了不同的制备参数对薄膜导电类型,光电流的大小、平带电位和光电转换效率的影响。结果表明该方法所制备的薄膜为p型半导体,在如下条件制备时,得到的薄膜光电流最佳：电沉积液组成Cu/In摩尔比为5mM: 5mM,加入0.2M TEA,0.015M C6H5Na3O7·H2O, pH值控制在4左右时,在-1000mV下沉积30min,400℃硫化退火90min。