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GaN因其优良的电学及光学性能在第三代半导体材料中极具代表性,如禁带宽度较高、耐腐蚀性、高电子迁移率等,是制造微纳器件和各类传感器的绝佳材料之一。随着各种电子元器件的高度集成化发展,基于一维GaN的压电晶体管、光电探测器、传感器、力开关、逻辑运算器件等微纳器件在国际上已被陆续报道。制备高质量的GaN材料对GaN在微纳器件领域中的应用是极为重要的,目前化学气相沉积(CVD)法因其操作简单及可控性已被广泛应用到GaN等一维纳米材料的制备中。然而在众多关于GaN基微纳器件的报道中却很少有关于GaN纳米带忆阻器的报道,也很少发现有关GaN纳米带忆阻器光力电耦合性能的报道,单根GaN纳米带的力电损伤行为更是很少有人关注。本文中所使用的纳米带是通过CVD法制备而成。采用导电原子力显微镜(C-AFM)成功地搭建了一种面外结构的新型GaN纳米带忆阻器,同时测试了该忆阻器的忆阻性能、力电性能和光力电耦合性能。本文还通过C-AFM原位研究了单根GaN纳米带的力电损伤及失效行为。本文的主要内容及结果如下。1.采用C-AFM搭建了一种面外结构的新型GaN纳米带忆阻器。并且通过对忆阻器的I-V特性和I-T特性进行测试发现其具有明显的阻变行为和非易失记忆性能。随后对忆阻器的力电性能进行研究,实验结果表明,加载力不仅可以对忆阻器的电流输运特性进行调控,同时还能调控忆阻器的SET电压、RESET电压和忆阻窗口的大小。2.结合外加光源和C-AFM对GaN纳米带忆阻器的光力电调控性能进行研究。实验结果表明,外加光源和加载力可以共同对忆阻器的电流输运进行调控。加载力增加会使忆阻器的电流输出值增加,有光条件下忆阻器的电流输出值比无光条件下高。最后分别对上述实验结果进行描述分析,并给出了合理的机理解释。3.利用C-AFM对单根GaN纳米带的力电损伤行为进行研究。实验结果表明,纳米损伤发生在探针针尖与纳米带接触点周围:接触点处出现凹坑,接触点周围有凸起现象。并且随着加载力的增加,发生损伤的阈值电压会明显降低。