本文中实验采用金属有机物化学气相沉积方法制备GaN薄膜，在实验过程中，首先使用电子回旋共振等离子体技术，在反应室中产生了活性物种丰富的低温等离子体，利用磁场梯度的输运作用，在样品台的衬底上生长出GaN薄膜。　　 本文在阐述实验所涉及的基本知识、相关理论、实验装置以及实验工艺流程的基础上，对N2-（CH3）3Ga等离子体发射光谱进行了分析：很明显，在403.2nm及417.2nm处出现了活性Ga的特征峰，在410.9nm处出现了活性N的特征峰。研究得出：N2-（CH3）3Ga中的反应以N2的激发、电离和（CH3）3Ga的热分解为主。此外，等离子体中也存在着聚合反应，其对GaN薄膜的形成所起的作用还有待进一步的研究。　　 GaN薄膜的外延生长是在衬底上进行的，因此，必须经历由上述的气相反应过程向衬底反应过程的过渡。影响GaN薄膜生长的主要因素有：反应室气压、衬底、生长温度和衬底杂质。依据已有的报道及本实验的研究认为：GaN的衬底反应以Ga和N的共价键合为主。　　 对样品进行了XRD、FT-IR和AFM表征。XRD图谱表明：在Si（100）衬底上生长的GaN薄膜出现了GaN（0002）和GaN（1010）衍射峰；在Si（111）衬底上生长的GaN薄膜出现了GaN（0002）和GaN（1120）衍射峰；以蓝宝石和玻璃为衬底的样品未有明显的GaN衍射峰出现。说明在Si衬底上制备的GaN为多晶态，但是，在蓝宝石和玻璃上生长的GaN依然处于非晶状态。红外图谱表明：样品中出现了Ga-N化学键的光学声子振动模式，在Si（111）衬底中的杂质C所引起的振动也在图谱中表现出来。AFM图谱表明：GaN为岛状生长机制，其生长模式在GaN薄膜足够厚的时候由三维模式转化为二维模式。　　 本实验的特点及优点在于GaN晶体所在的低温等离子体生长环境将大大降低目前因异质外延生长GaN时由热膨胀系数差异所引起的热失配，从而使所生长的GaN晶体的质量更趋于优良。