置换法制备MgB<,2>/MgO复合超导材料及其弱连接特性研究

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本研究以Mg和B2O3为原材料,成功的制备了MgB2/MgO复合超导材料,该材料具有典型的弱连接颗粒超导性。对其物性的研究得到如下结果: 在超导转变过程中dR/dT-T曲线出现了两个转变峰,而在I-V测量中也观测到了电压的两次转变:当电流超过临界电流时,电压随着电流先是缓慢的增长,在电流升到一定值时,电压有一个很陡的突变,这起源于二硼化镁晶界效应的增强。笔者利用二维渗流模型对这些现象进行了讨论。 通过测量不同温度下的临界电流,发现该样品的临界电流密度和温度的关系满足:jc(T)∝(1-T/Tc)1.3,利用Josephson结网络系统的渗流模型进行计算发现,当颗粒超导系统处于非均匀状态时,临界电流和温度满足关系式jc(T)∝(1-T/Tc)4/3,这一结果和实验符合得非常好。 在第四章介绍了一种制作断裂结的新方法,并利用该方法制作了二硼化镁断裂结,对制作的断裂结的特性进行了简单的探讨。在隧道谱中观测到了二硼化镁的两能隙结构,并在一些结的G-V曲线中发现电导随电压振荡这一现象。
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