VDMOS器件是当今功率半导体的主流器件之一,由于其价格便宜、高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率特性以及很好的热稳定性等特点使得它在军用、民用电子工业上应用广泛。正是因为VDMOS器件与人们生产生活的各个方面息息相关,所以VDMOS的可靠性越来越成为人们关注的重点。本文先对VDMOS器件基本原理及相关静态特性参数( V BR、V t h、R on等)进行了详尽的分析,之后通过实验手段对自主研制VDMOS器件7575的可靠性进行了研究。首先,对VDMOS器件在高温环境下的应用进行模拟,完成了高温存储、温度循环和老炼等三种与温度相关的可靠性基础试验,并对VDMOS器件样品试验前后的电参数进行测试。对试验中失效的器件进行了煮片解剖,关注了器件的失效原因。其次,针对VDMOS器件在电动自行车中的应用,制作了电机控制电路板,利用其模拟VDMOS器件在实际电机中的工作状态。对电机主控电路最大供电电压进行测试,其中包括对器件并联电容、并联稳压管的情况及电机空载和负载的情况分别进行了测试,又分别对电机空载和负载时的刹车次数进行了试验,对比了7575与市售VDMOS器件ST 75NF75各个试验的情况。对试验结果进行分析,得出器件特性参数对试验结果的影响,并提出相关解决方案。