【摘 要】
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针对MOS结构器件抗辐照应用所面临的瓶颈问题,该文主要围绕体硅及SOIMOS器件的总剂量辐照效应开展了实验及理论两方面的研究工作.首先,从实验角度较为系统地研究了体硅MOS器
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针对MOS结构器件抗辐照应用所面临的瓶颈问题,该文主要围绕体硅及SOIMOS器件的总剂量辐照效应开展了实验及理论两方面的研究工作.首先,从实验角度较为系统地研究了体硅MOS器件的γ射线总剂量辐射效应:以加固CC4007器件为例,利用I-V亚阈分离技术,分离了辐照感生氧化物陷阱电荷和辐照感生界面态对辐照导致的阈值电压漂移的贡献,进而分析了这两种电荷影响MOS器件的机理.并讨论了不同γ射线剂量率下的辐照实验以及在不同温度下的退火实验,根据实验结果分析了辐照环境温度、辐照剂量率以及辐照后退火对MOS器件迁移率的影响.在上述实验的基础上,从理论角度导出了两个新模型:低剂量辐照条件下的MOSFET因辐照导致的阈值电压漂移模型以及高剂量辐照条件下的MOSFET总剂量辐照效应模型.
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