总剂量辐照效应相关论文
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退......
本文研究了不同偏压条件对flash存储器总剂量辐照效应的影响，结果发现随着总剂量的增加，flash存储器输出低电压VOL和电源电流ICC都会......
本文研究了0.8μm SOI NMOS晶体管,经剂量率为50rad(Si)/s的60Coγ射线辐照之后的总剂量效应,分析了器件在不同辐照条件和测量偏置......
本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,......
随着空间技术和核技术的发展,辐照效应对电子器件和电路系统造成损伤的问题日益凸显。辐照环境下,电子器件会发生性能退化甚至功能......
设计了一款与CSMC,0.5 μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电......
对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行60Coγ射线辐照试验，分析了光电器件在γ射线辐照下氧化物陷阱电......
本文建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号......
针对MOS结构器件抗辐照应用所面临的瓶颈问题,该文主要围绕体硅及SOIMOS器件的总剂量辐照效应开展了实验及理论两方面的研究工作.......
报道了一个含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 .该模型能自动计入体耗尽条件 ,不需要分类考虑不同膜厚时的情况 .模型计算结......
期刊
设计了一款与CSMC 0.5μm CMOS工艺兼容的频率为500 MHz的辐照加固整数型锁相环电路,研究了总剂量辐照以及单粒子事件对锁相环电路......
研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表......
建立了线阵CCD器件总剂量辐照效应离线测量系统,并利用该系统对一种商用线阵CCD进行了辐照效应研究,给出了暗电流输出电压信号和饱......
报道了一种抗辐射功率MOSFET，通过与国外同类产品的锎源以及钴辐照试验对比，其抗总剂量水平和抗单粒子能力均已达到国际领先水平，并深......
采用传统固相反应法制备PZT压电陶瓷材料，并制作成平行平板无源电容器结构。在ELV-8电子直线加速器上对其进行总剂量辐照效应实验，对......
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET^60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压......
对国产工艺的部分耗尽SOIPMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照及退火效应进行了研究。结果表明：随着工艺技术的发展,正栅氧化层具有较强......
为了提高SIMOX SOI材料抗总剂量辐照的能力，采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性的SIMOX SOI材料．辐照前后，用pseudo-MOSFET方法测试样......
研究了在改性注氧隔离（SIMOX）材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应。实验表明......
为了缩短SOI材料的改性研究周期,利用pseudo-MOS方法研究了SIMOX SOI材料的总剂量辐照效应.试验采用硅注入绝缘埋层后退火得到改性......
报道了一种用于在高剂量辐照条件下MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型。利用该模型对MOS器件实验结果进行了模拟，模型计算结果与实......
采用传统固相反应法制备PZT铁电材料，并制作成平行平板无源电容器结构，在ELV-8电子直线加速器上进行了总剂量效应辐照实验。结果表明......
SOI材料以及SOI器件及有良好的抗单粒子效应和瞬间辐射的能力，但绝缘埋层的存在使得其抗总剂量能力受到限制。在埋层中注入硅离子被......
由于SOI材料中绝缘埋层（BOX）的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平，本论......
近年来,随着航天工业和核工业的发展,电子器件在辐射环境下的总剂量辐照损伤问题日益凸显。而数字器件在现代电子设备中的广泛应用......
随着航空航天技术与核技术的不断发展,越来越多精密的电子设备需要在辐照环境中使用,这些设备中包含的集成电路模块在受到辐照影响......
半导体拥有其他材料无法替代的优越性,但是能对其性能产生影响的因素也不同于影响其它材料的普通因素,例如空间环境中的各种射线(x......
随着集成电路在航空航天的应用,半导体器件和电路的总剂量辐照效应越来越受到关注。器件尺寸进入到纳米级后,器件的总剂量辐照效应......
SOI(Silicon-on-Insulator)即绝缘体上的硅材料，其结构通常为顶层硅-绝缘埋层-衬底硅。相对于传统的体硅材料，绝缘埋层的存在将SOI材......
近年来，SOI技术由于其独特的优越性，被广泛应用于空间及军事抗辐射领域。但SOI中绝缘埋层(BOX)的存在，使SOI材料抗总剂量辐照效应的能......
学位
报道了一种用于在高剂量辐照条件下 MOS器件抗辐照电路模拟的半经验模型 .利用该模型对 MOS器件实验结果进行了模拟 ,模型计算结果......
