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近年来,随着信息产业高速发展,基于薄膜晶体管的显示技术也获得了长足的进展。目前在电应力下引起器件特性退化是制约其在平板显示领域应用的主要瓶颈。因此,论文针对掺铟氧化锌薄膜晶体管(IZO TFT)在各种电应力下的退化特性研究具有实用价值和科学意义。论文对IZO TFT主要电学参数提取方法和电应力退化特性展开了较为系统的研究,主要内容和结果包括:(1)对IZO TFT的基本电特性进行了表征,提取阈值电压,亚阈值摆幅,有效迁移率等性能参数。采用多频C-V法和沟道电阻法(CRM)相结合的方法提取出漏、源接触电阻;采用传输线法(TLM)和沟道电阻法(CRM)提取的源漏接触总电阻相近,其值约为1.45 MΩ。在提取出漏源电阻的条件下,结合RC网络与多频C-V法提取了有源层中态密度(DOS),并拟合出类受主缺陷态密度的具体参数。通过1/?噪声特性研究,提取出界面态陷阱态密度为1.45×1019 cm-3 eV-1。(2)研究了IZO TFT在栅电压应力下退化特性。结果表明,在栅压应力下,器件电退化主要表现为,在负栅压应力下,阈值电压Vth的正向漂移,而在正栅压应力下Vth向负漂移,这是因为负栅应力下栅绝缘层所捕获电子,而在正栅压应力下穴注入栅绝缘层和陷阱态产生有关,并通过1/?噪声特性进一步验证了该解释的正确性。(3)研究了IZO TFT在栅漏协同电压应力下退化特性。结果表明,在栅漏协同电应力下,器件发生明显的退化,阈值电压明显的减小,亚阈值斜率明显增大,这主要是由于空穴注入和缺陷态的产生所导致的。(4)研究了IZO TFT在静电放电(ESD)电压应力下退化特性。结果表明,IZO TFT的击穿电压VBD是过电场失效而非热失效过程所导致,并近似符合人体模型(HBM)的计算结果;在小于击穿电压VBD下的传输线脉冲(TLP)应力试验发现,TPL应力会引起转移曲线负方向漂移,这是由于栅介质捕获了大量的空穴以及新产生的缺陷态所致;通过不同脉冲宽度下TLP应力试验,得出了该TFT器件的损伤电压与脉冲宽度之间的函数关系。