含氮化合物对钙钛矿薄膜及其发光二极管器件光电性能的影响

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金属卤化物钙钛矿作为一种新型的发光材料,具有较低的材料成本、易调节的发射波长和较广的发光色域等特点,被认为是照明和显示领域技术中十分有前景的候选材料。纯无机金属卤化钙钛矿CsPbBr3因其优异的光电性能而被广泛应用于高效、稳定的钙钛矿发光二极管(light-emtting diode,LED)的研究。尽管单色钙钛矿LED的外量子效率(external quantum efficiency,EQE)已突破20%,但总体性能依然远远落后于发展成熟的有机发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)和量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode,QLED)。通过在钙钛矿薄膜中引入合适的含氮有机分子来抑制钙钛矿中非辐射复合中心的形成、控制薄膜的维度以及改善薄膜形貌是调控钙钛矿LED器件发光特性和性能的主要手段之一。例如,有机铵盐的引入可以促进“量子阱”结构的形成,从而提高能量的利用率,并以此来制备更加稳定高效的钙钛矿发光二极管;除此之外,由于有机铵盐阳离子的引入而在钙钛矿中形成的量子限域效应和介电限域效应还会增大钙钛矿的带隙,从而实现蓝光钙钛矿发光二极管。目前的研究发现很多含氮有机物都可以有效提升钙钛矿薄膜质量和发光二极管器件性能,但是其分子结构对薄膜和器件的影响还有待进一步研究。为了理解含氮有机化合物对钙钛矿薄膜的光电性质的影响,进一步提升器件的性能,本论文主要从分子的角度对基于不同含氮有机物(包括单铵有机阳离子、双铵有机阳离子以及含氮分子丁二腈)的CsPbBr3钙钛矿进行了系统性的研究,通过对钙钛矿薄膜进行荧光光谱(PL)、紫外-可见光吸收光谱(UV-vis)、X射线衍射图谱(XRD)、掠入射广角散射图谱(GIWAXS)、紫外光电子能谱(UPS)等表征以及密度泛函理论(DFT)模拟,揭示了钙钛矿薄膜的晶体结构、结晶度和光学特性与所加含氮有机物分子结构的相关性,并基于此制备了光谱稳定的钙钛矿LED器件。除此之外,我们还在基于EDABr2的“空心”结构钙钛矿薄膜中加入少量的PEABr,制备出了高效且光谱稳定的天蓝光发光二极管器件。本论文的主要研究内容如下:1.首先对三种不同离子半径大小的单铵有机阳离子配体对调控钙钛矿薄膜发光特性进行了研究,探讨了不同单铵有机阳离子和钙钛矿结构的内在关系,并基于EABr的蓝光薄膜,制备了发光峰在485 nm的蓝光钙钛矿LED器件,具有良好的光谱稳定性,最高EQE可达3.6%。2.进一步研究了双铵有机阳离子配体在调控蓝光钙钛矿薄膜和钙钛矿LED器件性能方面的影响。发现具有较小离子半径的双铵有机阳离子(EDA2+)会进入钙钛矿晶格,在钙钛矿中形成独特的三维“空心”结构,这种结构同样可以实现对钙钛矿发光特性的调控。最后,基于EDABr2的钙钛矿薄膜,制备了发光峰在480nm且光谱稳定的蓝色钙钛矿LED器件,器件的EQE最高可达5.8%。3.最后,探索了一种含氮有机分子丁二腈(SN)添加剂对钙钛矿薄膜和钙钛矿LED器件性能的影响。将塑性晶体SN掺进钙钛矿中形成钙钛矿/SN复合薄膜,发现SN的引入可以改善薄膜形貌并提升钙钛矿的荧光量子产率(photoluminescence quantum yield,PLQY),最终制备了 EQE超过20%的绿光LED器件。
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