紫外探测器对紫外波段的光产生响应,将紫外光信号转换成电信号,目前在军事和民生领域已得到广泛应用。MSM结构的探测器,相比于其它探测器,具有响应度高、暗电流小、响应速度快、面电容小等优点。随着半导体工艺的不断进步,能达到的工艺尺寸逐渐缩小,如光刻、纳米压印等工艺精度已达纳米量级。为了增强紫外探测器的性能,近年来,许多表面微纳结构被引入到MSM探测器中,如纳米孔、纳米柱、纳米线等。同时,大量研究表明,利用金属微纳结构与光耦合激发的局域表面等离激元（LSP）可大幅增强光探测器件的响应度,其中,Al、Rh等金属纳米颗粒的LSP共振波长恰好处于紫外波段,对于紫外探测器的研究具有重要意义。本论文工作主要分成以下内容:1、Al、Rh金属填充型纳米孔阵列LSP耦合峰位及耦合强度的研究。基于纳米孔与金属纳米颗粒对MSM紫外探测器的增强作用,我们提出在纳米孔阵列中填筑金属材料以形成金属填充型纳米孔阵列MSM紫外探测器的设想。利用FDTD软件模拟Al、Rh金属填充型纳米孔阵列的结构,计算其在200 nm～700nm的消光谱与周围电场变化。经过调控,发现Al、Rh金属填充型纳米孔阵列的LSP消光峰能够覆盖深紫外的区间且拥有较高的强度,处于共振波长下的局域电场出现明显增强,对于紫外探测器内部深处光生电子、空穴对的分离有积极作用。进一步地,尝试改变金属填充型纳米孔阵列的各参数,包括纳米孔半径、深度、间距、形状等,以探究影响深紫外波段消光峰位置与强度的因素。模拟结果表明,纳米孔半径与间距能较好地调控消光峰的位置,而强度方面,随着纳米孔深度的不断提升,消光峰的强度也出现增长且峰位不没有发生变化。对于Al金属,采用圆形以及正六边形的纳米孔阵列能在深紫外波段获得不错的消光峰,对于Rh金属,正方形纳米孔阵列的深紫外消光峰甚至比圆形纳米孔阵列的更强。此外,采用光源背入射的方法能让Al、Rh金属填充型纳米孔阵列的深紫外消光峰强度提升10%以上。此研究为未来金属填充型纳米孔阵列MSM紫外探测器的制备提供理论指导。2、β-Ga2O3/GaN异质结电极内置型MSM紫外探测器的研究。在研究中,我们发现,β-Ga2O3/GaN异质结MSM紫外探测器由于受到较厚β-Ga2O3层的影响,GaN层中光生载流子需要穿过较厚的β-Ga2O3层才能被电极吸收形成光电流。于是,我们通过光刻、感应耦合等离子体刻蚀（Inductively Coupled Plasma,ICP）、磁控溅射等工艺将金属电极内置于β-Ga2O3层中,降低GaN层中光生载流子的收集难度。相比于平面器件,电极内置型器件对于波长为362nm紫外光的最大响应度达0.89A/W,是常规器件的22倍。这一发现证明了电极内置的做法对于叠层结构MSM紫外探测器内部深层光生载流子的收集有积极作用,有利于未来量子阱、超晶格结构等叠层MSM探测器响应度提升的研究,也为未来金属填充型纳米孔阵列MSM紫外探测器的制备做了初步尝试。