近年来随着集成电路工艺水平和通信技术的快速发展,现场可编程逻辑门阵列（Field Programmable Gate Array,FPGA）器件在航空、航天、通信、医疗等领域得到越来越多的应用,另外FPGA小型化的发展趋势以及高集成度、高工作频率、可重构特性等特点会引发电磁辐射,因此研究FPGA电磁辐射的抑制方法是十分有意义的。面对国内外FPGA领域的发展现状以及国产高新技术的崛起,本文以国产复旦微FPGA 7K325T芯片为研究对象,对芯片的电磁辐射问题及电磁辐射抑制方法进行研究。主要研究内容有:1.对复旦微7K325T芯片的电磁辐射进行研究。在对复旦微FPGA 7K325T芯片的内部结构与辐射发射原理的分析基础上,确定了对其电磁辐射测试的最佳扫描角度。由论文中给出的芯片的电磁辐射测试结果表明,该芯片在不同工作状态下有着不同的辐射发射分布和强度,辐射发射值最大时达到了53.4 d Bu V。基于电磁辐射抑制方法可进一步降低复旦微FPGA 7K325T芯片的电磁辐射。2.对复旦微7K325T芯片进行电磁辐射抑制研究。首先分析所选择的电磁屏蔽材料的电磁屏蔽原理,并采用新型的光学高分辨成像系统对其进行测试验证,结果表明所选择的电磁屏蔽材料具有良好的屏蔽效能。然后将电磁屏蔽材料应用到FPGA芯片上进行研究分析,探究了不同种类的电磁屏蔽材料对FPGA芯片电磁辐射的屏蔽效能,结果表明不同种类的电磁屏蔽材料对芯片的电磁辐射产生不同的影响,其中高分子屏蔽材料的屏蔽效能最高时达到了9 d B。最后研究了电磁屏蔽材料的厚度因素对芯片电磁辐射抑制的影响。3.研究封装表面对芯片内部电磁辐射的影响。首先采用开封技术去除芯片的表面金属封装,通过对裸露芯片的电磁辐射进行测试分析,来探究原金属封装表面对芯片电磁辐射的影响,结果表明金属封装是芯片辐射发射的干扰源之一,裸露芯片对外界的辐射发射反而降低了,降低幅度最大时达到了3.4 d B。然后采用电磁屏蔽材料对裸露芯片进行电磁辐射抑制,将电磁屏蔽材料与原金属封装表面对芯片辐射发射的影响进行对比分析,结果表明在不改变芯片内部结构的前提下,采用所选择的电磁屏蔽材料是有效的电磁辐射抑制方法。