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兼有双极晶体管和普通MOS器件优点的功率VDMOS器件，具有输入阻抗高、损耗小、开关速度快、频率特性好等特点，广泛应用于民用、军用、电子工业等领域。由于振动环境是影响产品质量和可靠性的重要因素，因此，研究振动环境对VDMOS器件可靠性的影响至关重要。本文对VDMOS器件进行振动试验，采用ANSYS软件模拟振动环境下器件的应力分布，研究器件失效机理。本文利用电动振动台对国内外三种不同型号的VDMOS器件进行变频和定频振动实验，利用XJ4832大功率半导体晶体管特性图示仪测试器件VDS-ID特性，利用电子显微镜观察器件外壳和内部芯片表面变化；运用ANSYS有限元模拟软件，建立VDMOS器件的三维模型，模拟器件在振动环境下振动应力分布，分析器件失效模式与失效机理。实验结果表明：变频振动中，当变频振动频率对应的振动应力达到器件内部材料断裂强度时，三种型号的VDMOS的ID(max)减小的幅度均会超过初始值的20%；定频振动中，当振动应力接近但没有达到器件的断裂强度时，随着振动时间的增加，因振动疲劳三种型号的器件VDS-ID特性均发生退化。振动使器件单胞各层产生应变，随着振动频率和时间的变化，当应变达到材料的断裂强度时，芯片产生微裂纹，并逐渐扩展到多个单胞，同时引出脚易断裂，导致器件VDS-ID特性退化。在测试VDMOS器件在振动环境下的VDS-ID特性时，由于所加电压与三种型号的VDMOS各自的极限电压相比很小，所以排除所加电压对器件VDS-ID特性的影响。模拟结果表明：振动环境下，存在空洞的粘结层与芯片交界处，空洞处对应的芯片受到应力较大，导致粘结层微变形、芯片产生微裂纹；外部引脚所受的应变较大，在振动应力的反复作用下，引脚易发生疲劳性断裂现象，与实验结果吻合。实验和模拟结果为功率器件的可靠性研究提供了理论与实验依据。