【摘 要】
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该文研究采用的铜单晶体取向为[5 48],为单滑移取向.经恒塑性应变幅控制的对称拉—压疲劳实验后,试样内部形成PSB梯状结构.随之,对疲劳试样进行不同温度,时间中温回复处理,发
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该文研究采用的铜单晶体取向为[5 48],为单滑移取向.经恒塑性应变幅控制的对称拉—压疲劳实验后,试样内部形成PSB梯状结构.随之,对疲劳试样进行不同温度,时间中温回复处理,发现PSBs平均宽度减小,并在一定温度和时间条件下,PSB和脉络结构可完全消失.讨论了热处理过程中由于空位浓度差异所引起的渗透力促使位错运动;同时也讨论了林位错等阻碍力对位错运动的影响.分析表明:热激活下,位错运动通过空位放出和湮灭而实现的,从而使位错密度不断降低并使PSB细化以至消失.利用扫描电子显微镜(SEM)电子通道衬度(ECC)技术观察疲劳过程中驻留滑移带结构的形成和发展.对[123]取向的铜单晶体的研究表明:铜单晶体在疲劳过程中首先出现基体位错墙,然后形成驻留滑移线(PSL)结构,经过不长的循环周次,PSB萌芽沿着PSL形成一个中间长,两头短的椭圆梯状位错墙结构.随着循环周次的增加,PSB萌芽沿着PSL向两头长大,最后形成完整的梯状PSB结构.在中温回复过程中,完整的PSB梯状结构出现弯曲、折断、跑出等消失迹象,随着回复温度和回复时间的增加,PSBs结构部分先消亡,使得PSB结构不再完整,随时间的延长PSB与脉络结构可完全消失.
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