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本论文工作围绕1.0-1.6μm光通讯波段In0.53Ga0.47As PIN超高速光电探测器的研制开展，针对超高速光电探测器的特点，以光电探测器的设计、制作和测试为主要内容，研制出了一批性能良好的光电探测器，得到了下面一些结果： 1．在对光电探测器的I—V特性、量子效率、C—V特性和瞬态响应速度进行计算和讨论的基础上，进行了探测器的结构设计。从优化探测器的响应速度、耦合效率和量子效率的角度出发，提出了合理的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器的外延层材料结构和器件图形结构，利用这个结构进行了探测器的版图设计，得到了实用可行的正面入射台面结构In0.53Ga0.47As PIN光电探测器版图。 2．通过正胶反转工艺、湿法腐蚀工艺和聚酰亚胺的钝化工艺实验，得到了合适的In0.53Ga0.47As PIN光电探测器的单项工艺条件，利用这些单项工艺制定出了详细的探测器工艺流程，并且利用这个工艺流程制成了一批In0.53Ga0.47AsPIN光电探测器芯片。 3．通过对探测器I—V特性、光谱响应、C—V特性和瞬态时域响应的测试原理和方法的讨论，利用相应的测试设备对探测器的性能参数进行了测量，并对典型器件的测试结果进行了分析。由探测器的I—V特性曲线得到了典型器件在-5V下的反向暗电流为640pA，，击穿电压为37V；由探测器的光谱响应得到了探测器的峰值响应波长为1.65μm、短波方向的截止波长为1μm、长波方向的截止波长为1.75μm；由探测器的C—V特性曲线得到了典型探测器的在-5V偏压下的电容约为1.4pf；通过对C—V特性的讨论得到了影响探测器的电容的主要因素是分布参数；由探测器的时域瞬态响应的测量得到了典型器件在-10V下的上升时间为37ps，下降时间为30ps，半高宽为48ps，通过时域瞬态响应曲线，探讨了影响探测器响应速度的主要因素，得到了电路的RC时间常数、载流子在耗尽区外的扩散作用和测试系统的响应速度是影响探测器的响应速度的主要因素的结论，并且对测试系统中存在的问题进行了分析，预期改进测试系统后，可以获得更符合实际的测量结果。