许多电路系统中都需要用到可调谐的电子元器件,如变容管、移相器、滤波器,振荡器等。在实现器件的可调性技术中,介质薄膜变容管技术以其响应速度快、成本低、易集成等优点,具有很大的应用前景。介质薄膜可调谐电子元器件的核心是可调材料,研究新型的介电可调材料,提高现有介电可调材料的性能是亟待解决的问题。具有立方焦绿石结构的Bi_1.5MgNb_1.5O₇（BMN）材料具有适中的介电常数、极低的介电损耗和较大的介电调谐率等特性,是一种很有应用潜力的介电材料。BMN材料的介电性能与A-位离子的无序结构及其介电响应相关。本论文通过不同的离子取代BMN材料中A-位的Mg²⁺,研究了取代后新材料的介电性能的变化,探索了BMN材料的介电损耗机理并展开了BMN介质薄膜变容管的研制工作。本论文主要的工作内容和结论如下:1.研究A-位离子对BMN材料结构及介电性能的影响。选取钴离子、钙离子和镍离子作为A-位掺杂离子用于取代BMN材料中Mg²⁺离子。制备出对应的Co-BMN、Ca-BMN和Ni-BMN陶瓷材料,并对其进行结构和介电性能的测试和分析。对掺杂后的材料分析发现,通过这三种离子取代后的新BMN材料仍然具有立方焦绿石结构,其中掺杂0.4%Ni的BMN材料性能最佳,在1 MHz下测得的介电常数为141,介电损耗为0.0016。2.研究了BMN陶瓷材料的损耗机理,BMN材料中除了固有损耗以外,还存在局部极化损耗和带电缺陷损耗,且随着频率的增大,带电缺陷损耗占的比重越来越大。对材料进行A-位掺杂后发现,掺杂离子的半径越小,局部极化损耗占的比重越低,而带电缺陷损耗占的比重越大,这与掺杂对材料的缺陷种类以及数量相关,半径越小,对材料的缺陷影响越大。3.研究了硅基底和蓝宝石基底及基底温度对BMN薄膜介电性能的影响,发现用蓝宝石基底在700摄氏度下制备的薄膜性能最佳,介电常数为101.2,介电损耗为0.0762。4.研究变容管微细加工工艺参数,并成功制备了BMN介质薄膜变容管原型器件。