射频识别技术已逐渐融入人们的生活,正在积极改造生产、制造、物流、零售以及公共信息服务等构成的整个产业链。同时在物联网的发展浪潮里,RFID作为核心技术,获得了前所未有的发展机遇。RFID家族中,低频和高频频段的RFID技术已经成熟,超高频及微波频段的RFID技术成为国内外的研究热点。与低频和高频频段的RFID系统相比,超高频RFID系统具有识别距离远,存储容量大和支持多目标快速识别等优势。标签芯片设计作为超高频RFID系统核心技术,得到了国家的高度重视和大力支持。然而由于国内射频和数模混合集成电路技术基础较为薄弱,目前还没有性能稳定能够商业化应用的超高频无源标签芯片面世。因此,开展面向ISO18000-6C国际标准的超高频RFID标签芯片研究,掌握超高频RFID的核心技术,具有很好的科学研究意义和社会经济价值。本论文选择面向ISO18000-6C国际标准的超高频RFID标签芯片射频模拟前端设计做为研究方向,对该标签芯片的技术发展现状、理论基础、系统架构、关键电路模块和关键技术指标进行了深入的分析,基于TSMC 0.18μm CMOS混合信号工艺进行对调制电路、解调电路等核心模块进行了设计、仿真、优化和版图制作,并采用MPW项目进行流片验证。最后对标签芯片系统及射频模拟前端核心模块进行了功能验证和性能测试。