集成电路布图设计专有权作为一种新型的知识产权，对半导体产业的发展意义重大，当前其法律保护尚存一些难题，对于集成电路布图设计独创性的判断便是其中一个难点，布图设计的独创性包括两个方面：一是创作者原始创作的独立创作性，二是布图设计反向工程的独创性。原始创作的原创性比较容易判断，一般只要满足两个条件即可：独立创作不是抄袭的和非常规设计。而布图设计反向工程的独创性判断，因集成电路技术复杂、专业性强，因此判定起来比较困难，迄今为止国内外都没有一个完整规范的判断标准。对集成电路布图设计独创性的判断，还涉及到思想/表达的划分、反向工程的合法性、独创性与复制侵权之间的关系等问题。在集成电路布图设计判断中要注意专有权并不保护思想本身，也不保护独有的唯一表达。关于布图设计独创性判断，美国提出了“实质相似”标准和“书面痕迹”标准，其后还有“功能优越”标准和“性能改进”标准等。本文在研究和分析的基础上提出了改进的判断标准。在反向工程中首先判断是否付出了“辛苦和努力”，这点由“书面痕迹”来证明，然后判断是否实质相似，这里需要引入专家证言，如果一个理性专家站在反向工程者角度，在现有水平上能设计出新的方案却采用了原芯片方案，那么反向产品就是不具有独创性的，相反则具有独创性。同时功能优越和性能改进不能作为独创性判断的必要条件，但是能作为充分条件。当前我国对集成电路布图设计的保护力度还不够，在集成电路布图设计独创性判断方面也缺乏经验。为保护权利人的合法权益和减少纠纷，申请人在布图设计申请过程中，应在备案资料中注明独创性部分，这样不仅可起到权利人对布图设计独创性的释明作用，也方便以后由纠纷引起的实质审查，以便更好地解决诉讼纠纷。