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电光Q开关是用于脉冲激光器中使之产生高能激光的重要器件.目前,常用的晶体电光Q开关主要是用DKDP和LiNbO<,3>晶体制作的.DKDP晶体光损伤阈值高,光学均匀性好,其电光Q开关一般在中、高功率激光器中使用.缺点在于DKDP晶体的电光Q开关利用晶体的纵向电光效应,器件半波电压高,且不可调;而且DKDP是水溶性晶体,容易潮解,在加工和使用过程中要加复杂的防潮装置,使用与维护不方便;此外,DKDP晶体为亚稳相生长,晶体生长难度大,周期长.LiNbO<,3>晶体制作的电光Q开关,利用晶体的横向电光效应,可以通过改变器件尺寸调节半波电压,LiNbO<,3>晶体采用提法拉生长,容易得到大尺寸单晶,其物理化学性质稳定,不潮解;但LiNbO<,3>晶体的光损伤阈值太低,大大限制了晶体的应用,其电光Q开关只能应用于小功率激光器中.因此,寻找新的电光晶体,制作性能更优的电光Q开关有重要的应用价值.硅酸镓镧(La<,3>Ga<,5>SiO<,14>,LGS)晶体在八十年初是作为激光晶本来研究的,随后其优异的压电性能成为人们关注的热点,大量文献报道了LGS晶体的生长和压电性能.LGS同构体单晶包括La<,3>Ga<,5.5>Ta<,0.5>O<,14>(LGT)、La<,3>Ga<,5.5>Nb<,0.5>O<,14>(LGN)以及Sr<,3>TaGa<,3>Si<,2>O<,14>(STGS)等晶体,他们与LGS晶体具有相同的结构,也有良好的压电性能,近年来也常有报道.实验测试发现LGS晶体具有较高的电光系数是该文开始研究LGS晶体电光Q开关应用的起点.该文的主要内容是研究了LGS及其同构件单晶的生长、电光性能和应用,以及晶体的其他性能.