高功率微波作为强电磁脉冲的一种重要形式，具有高频率、短脉冲（几十纳秒）和高功率等特点，对电子元器件和电子系统可造成暂时性或永久性的损伤。高电子迁移率晶体管(HEMT)作为新一代微波毫米波器件，在集成电路应用中极易受到高功率微波辐射而引起损伤，甚至导致电路失效，所以有必要从理论上研究高功率微波对HEMT器件的损伤效应和损伤物理机制。本文采用器件仿真软件ISE-TCAD建立了GaAs HEMT的二维仿真模型，研究了器件在HPM下的损伤效应。仿真结果表明，在栅极注入高功率微波耦合电压，器件的损伤部位在栅极靠近源极的器件表层。对于具有不同参数的电压信号，研究了器件烧毁时间与其耦合电压幅值和初始相位之间的关系。结果表明器件在信号正半周温度升高速度更快，更容易发生毁伤。通过有限元分析软件ANSYS研究了器件在稳态温度分布下的热应力分布情况，结果表明热应力会引起沟道层变形。HEMT器件应用在低噪声放大器中，受到高功率微波干扰时，电路的增益下降、噪声系数变大，电路性能下降。本文的研究为HEMT器件在HPM作用下的损伤效应及防护提供了理论基础，也为进一步的研究工作提供了参考。