微磁学计算和模拟是研究铁磁物质的磁矩动态演化、磁化翻转过程的有力工具和手段。 本文用微磁学模拟的方法研究了类坡莫合金纳米线(20nm×500nm×20nm)的磁谱(重点考察了铁磁纳米线边缘磁矩的磁谱).结果显示，在铁磁纳米线中磁化系数的虚部出现一高一低两个共振峰，分别对应体系的“块体”和“边缘”共振模式.这两个共振峰源自于铁磁纳米线局域磁矩的局域有效场。我们用局域分析的方法，分别研究了铁磁纳米线的边缘磁矩和中间磁矩的动态演化的过程。在相同的交换长度的磁性参数条件下，频率较低的峰的峰位与饱和磁化强度M3成正比，或与交换劲度系数A的1/2次方成正比. 本文的另一个工作是用微磁学模拟的方法研究了具有潜在应用前景的下一代高密度磁记录介质材料－－坡莫合金反点阵列膜的反磁化过程及其矫顽力机制。在坡莫合金反点阵列膜中，由于孔洞的引入，使得体系的畴结构为独特的图形结构，从而使其磁性变得尤为复杂.体系磁化翻转的过程受形状诱导的磁各向异性，畴结构以及钉扎的控制.体系在反磁化过程中形成畴壁，当薄膜的厚度逐渐增大的过程中，从Néel壁逐渐过渡到Bloch壁，矫顽力呈现先增大后减少的规律；当固定薄膜的厚度，改变坡莫合金反点阵列膜的孔洞间距，发现随着孔洞间距的增大，坡莫合金反点阵列膜中，孔洞的作用从成核中心过渡到钉扎中心.矫顽力随着孔洞间距的增大出现先增加后减少的规律。