以钛酸丁酯、醋酸钡等为原料，采用溶胶-凝胶法一次液相掺入La、Mn、Ni及碳纳米管等杂质元素，制备出掺杂的钛酸钡粉体，经冷压成型、预烧、高温烧结及高温热压等工艺制备出具有高的密度、低的室温电阻率和高升阻比的半导化的钛酸钡陶瓷材料。研究了制备工艺，掺杂元素的种类及含量对半导化的钛酸钡陶瓷的电阻率、致密度及显微组织结构的影响，用XRD分析了掺杂的钛酸钡材料的相结构，用SEM观察了掺杂的钛酸钡材料的显微组织，制备出了室温电阻率ρ25℃<5Ω． cm，升阻比达到105～106的高性能钛酸钡基PTCR电热用陶瓷材料。研究结果表明： 通过单一施主掺杂La元素使钛酸钡半导化，当La的摩尔分数相同时，与以硝酸镧溶液形式进行掺杂相比，以氧化镧粉末溶入溶胶溶液进行掺杂得到的钛酸钡，其室温电阻率及升阻比都要高一个数量级。以硝酸镧溶液形式掺杂时，当掺入La的摩尔分数为0．3mol%时，可以得到室温电阻率为0．456Ω． cm的钛酸钡系PTC陶瓷电热材料。以硝酸镧溶液形式掺杂的样品有较低的室温电阻率，但其升阻比不理想。 受主掺杂Mn对Ba TiO3基PTC陶瓷材料的影响十分显著，微量掺杂就可以使材料的升阻比明显增大。在0．01mol%～0．05mol%掺杂范围中，随着Mn含量的增加，材料的室温电阻率缓慢增加，而Ba TiO3基PTC材料的PTC效应显著增强，材料的升阻比明显增大。当掺杂Mn的摩尔百分数为0．04mol%时，能获得室温电阻率为69．937Ω．cm，升阻比为1．7x104的PTC效应较好的钛酸钡陶瓷材料。当掺杂Mn的摩尔百分数超过0．05mol%时，其升阻比随着其掺入量增加而增大，但室温电阻率会显著增加，从而使其导电性能大大降低；当掺杂Mn的摩尔百分数低于0．01mol%时，其室温电阻率会降低，但升阻比很小，PTC效应明显减弱。 当金属Ni的掺杂摩尔分数为0．1mol%～0．5mol%时，随着Ni掺入量的增加，该PTC陶瓷材料的室温电阻率及升阻比都逐渐减小，最低达到15Ω．cm左右；当金属Ni的掺杂摩尔分数大于0．5mol%时，其升阻比很小，材料基本上没有PTC效应；当金属Ni的掺杂摩尔分数小于0．1mol%时，虽然可以获得较高的升阻比，但室温电阻率会很高，导电性能变差。 碳纳米管掺入BaTiO3中可以使BaTiO3半导体化，掺入微量的碳纳米管就可以达到很好的效果，碳纳米管掺入质量百分数在0．1%～0．5%的范围内，所得到的钛酸钡材料室温电阻率ρ25℃<100Ω．cm，升阻比达104～105。 施主La和受主Mn共同掺入钛酸钡基PTC陶瓷中，可以同时改善钛酸钡基PTC陶瓷的室温电阻率和升阻比，获得同时具有较低的室温电阻率和较高的升阻比的高性能PTC陶瓷材料。当La的掺入量为0．3mol%和Mn的掺入量为0．04mol%时，得到的双掺杂钛酸钡基PTC陶瓷材料具有较佳的综合性能，室温电阻率低至ρ25℃<1．9Ω．cm，升阻比高达Rmax/Rmin=1．428×105。