本文利用分子动力学模拟方法采用Tersoff-Brenner函数研究了含氟等离子体（F原子、SiF分子和Ar++F）与SiC的相互作用机制。研究结果表明入射F原子的能量、入射角度、样品温度以及样品最表层原子的种类均对刻蚀过程产生重要影响。F原子在表面的沉积量随着入射能量的增加而增加，随着样品温度、入射角度的增加而减小。Si和C原子的刻蚀量随入射能量、样品温度的增加而增加。而入射角度对刻蚀量的影响并不明显。Si和C的主要刻蚀机制为化学刻蚀和化学增强的物理刻蚀，主要的含Si产物为SiF3和SiF4。将最表层原子种类的影响考虑后发现，在0.5eV的入射能量下、样品温度为1500K时，表层是C原子的SiC样品发生了C原子的刻蚀而未发生Si原子的刻蚀。除此以外的其他所有条件下均发现Si原子比C原子易于刻蚀，这与多人的实验结果是相吻合的。Ar+轰击富氟和富碳两种表面的结果表明，样品表面的C和F原子的含量对样品中Si原子的刻蚀有着很大的影响。表层过多的C原子将会阻碍Si的继续刻蚀。SiF与SiC的相互作用时，SiF主要在SiC表面发生沉积，生成Si-F-C薄膜，且薄膜的厚度随能量、温度、入射角度的增加而减小。在所有条件下，薄膜层中的主要成分均为SiF。在入射离子中加入Ar+确实有助于提高SiC的刻蚀率。但是Ar+的比例一定要恰当。同时，Ar+％的增加将会增强Si和C原子的物理刻蚀机制。