以二维硫族化合物为代表的二维材料具备充当未来半导体材料的潜力。从开始的输运性质,用于电子器件、自旋电子器件和电极材料,到后来的磁性材料,光电器件,光催化剂,锂电池、太阳能电池,超级电容器等等。我们发现与传统的体材料相比,二维材料可应用的领域非常之多。而这些由范德瓦尔斯力结合的共价化合物的电子性质是和其本身的能带结构是密不可分的,后者就是前者的抽象的物理图像。所以通过各种方式来调控二维硫族化合物材料的能带结构,从而得到我们想要的电子性质,是我们研究的兴趣所在。电子性质可以被调控这一特点是二维硫族化合物材料具有应用于制备光电子器件的关键。在过去的传统半导体中的研究中,为了获得一些奇特的物理性质,我们会制备一些由不同材料组成异质结结构。随着二维硫族化合物材料的发展,不同二维硫族化合物单层通过范德瓦尔斯力结合形成的异质结,被认为是极具前景的新型异质结,它继承了硫族化合物极好的光电性质,也展现出了新颖的特征和功能。虽然许多单层二维硫族化合物（例如Mo S2和WS2）具有直接带隙半导体,但是它们的双层结构是间接带隙半导体,由这些单层组成的大多数双层异质结二维材料也不具有直接带隙的能带结构。然而,具有直接带隙的半导体材料,才更具有应用于光电子器件的价值。因此,为了获得合适的能带结构,有两个被广泛应用于调控能带的方法逐渐发展了起来。第一种方法是对材料施加外部电场,通过垂直二维材料平面的电场来对能带结构以及电子性质进行调制,第二种方法是拉伸样品,使样品受到面内应力的调制。本课旨在通过给二维异质结施加拉伸应变,使其受到单轴应力的作用,用光致发光光谱的手段,来研究单层二硫化钨的光电性质在单轴应力下的变化,并对实验现象做出解释,为未来二维光电子器件的应用提供理论依据。