21世纪以来,为了寻求清洁能源替代日渐枯竭的传统不可再生的石化能源,光伏产业应运而生。虽然太阳能电池在产生电能的过程是清洁无污染的,但是其生产过程会产生大量的光伏晶硅废料(CSW)。这些未经处理的CSW排入自然水体,会污染环境;同时,也会浪费许多有价材料。一维SiC材料可以广泛的用于电子器件、电磁屏蔽、发光器件、复合材料的增强增韧等领域。传统的制备方法大多原料昂贵或者制备时间较长,故缩短制备时间,降低原料成本势在必行。本文利用CSW和椰壳纤维为原料,利用放电等离子辅助热处理的方法快速制备SiC高附加值材料,有广阔的前景。研究内容如下:首先,以预处理后(去除PEG和Fe)的CSW和椰壳纤维分别为Si源和C源,利用放电等离子辅助热处理技术,在不同温度条件下快速制备SiC多孔纤维。研究不同制备温度对产物物相、显微结构、剩余粉体物相和SiC转化率的影响;分析多孔纤维吸波性能;探究制备SiC多孔纤维的反应机理。结果显示,随制备温度不同,气相渗硅反应分别通过表面发生、通过气孔、蜂窝孔和微孔发生。1500℃下制备的SiC多孔纤维反应完全,保留较完整的蜂窝状结构,具有作为吸波材料的潜力,并且该温度点可以回收SiC磨料。其次,对CSW中的PEG进行回收处理,再利用去除PEG的CSW和椰壳纤维为原料和基板,利用放电等离子辅助热处理技术,在不同温度下快速制备SiC纳米晶须。研究不同制备温度对产物物相、显微结构、剩余粉体物相的影响;分析晶须的光致发光性能;探究反应自发性和晶须生长机理。结果表明,随着热处理温度升高,相继出现了气液固(VLS)和气固(VS)两种生长机制,但晶须均是在(111)晶面沿[111]方向生长。在最佳制备温度1500℃的条件,制备出细且直,长径比约为40,具有应用于纳米光学器件的前景的SiC晶须,并且该温度点可以回收SiC磨料。最后,组合海南石英砂、CSW(去除PEG)和椰壳纤维为原料制备SiC晶须。研究不同制备温度对产物物相、显微结构、剩余粉体物相的影响。结果表明,在最佳制备温度1500℃时。通过VS机制生长出的晶须形貌良好,长径比约为100-200。