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七十年代中国开始从事这方面的研究.河北师范大学物理系磁学室与中科院物理所合作多年,对VBL的产生、消失、温度稳定性等进行了深入研究,取得了一系列重要成果,如:外延石榴石磁泡材料中硬磁畴新分类方法的提出;VBL链解体的临界温度T<,0>以及非压缩状态下硬磁畴阈值温度T<,0><1>的发现等等,这些对BLM研制以及磁畴壁理论的研究都有着重要的意义.既然硬磁畴畴壁中VBL链的稳定性对BLM的应用有着十分重要的意义,而面内场在磁泡存储器应用中是磁泡的驱动场,是影响VBL链稳定性的重要因素,因此,河北师范大学物理系和中科院物理所学者们详细研究了用脉冲偏场法产生的三类硬磁畴在面内场作用下的行为,发现存在一个与材料参量相关的临界面内场范围[H<,ip><(1)>,H<,ip><(2)>],在这个范围内,磁畴壁中的垂直布洛赫线是逐步丢失的;同时,为了使BLM有一个最佳的工作温度范围,还要研究共同存在于条畴中的大量VBL的温度稳定性,并有实验研究了三类硬磁畴畴壁VBL仅在温度下的温度稳定性,得出了一些有用的结论,对于硬磁畴畴壁内VBL在温度和面内场联合作用下解体的规律,尚未深入探讨,该文对ID做了详细的实验研究,从而更加完善了磁畴壁的静态理论,对BLM方案的实施及BLM的应用都是是非常有意义的.实验首先研究了温度和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁内垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现从室温到T0范围内的任一不同温度T下,ID畴壁中VBL的解体都存在一临界面内场范围[H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)],当H<,ip>≤H<,ip><(1)>(T)时,ID畴壁中VBL数目不变;当H<,ip><(1)>(T)<(2)>(T)时,ID畴壁中VBL逐渐丢失,且随面内场H<,ip>的增大,VBL丢失的越来越多;当H<,ip>≥H<,ip><(2)>(T)时,ID畴壁中的VBL完全丢失.面内场范围[H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)]随温度的升高而变窄,其中H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)的值也分别随温度的升高而变小,并分别在T<,0>和T<,0>处减小到零.另外,为了比较三类硬磁畴畴壁内的VBL的解体机制的内在联系,文章在前人研究基础上对OHB畴壁内的VBL解体进行了详细的实验研究,与ID畴壁内的VBL解体机制进行了比较.同样,对于OHB畴壁内的VBL的解体同样也存在一个与材料有关的临界面内场范围[H<,ip><(1)>(T),H<,ip><(2)>(T)],两者进行比较,可知:两者畴壁内VBL的解体机制可能相同,由徐建萍的论文可知:第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)畴壁内的VBL在温度和面内场共同作用下的解体也具有相同的规律.