面内场相关论文
超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密......
本实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴在直流偏场(Hb)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象.实验发现......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴......
七十年代中国开始从事这方面的研究.河北师范大学物理系磁学室与中科院物理所合作多年,对VBL的产生、消失、温度稳定性等进行了深......
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器(BLM)方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线(VBL)对作为信息的载体，以VBL对的有......
本文主要研究了磁泡点阵的形成条件.实验发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵，泡阵呈六角密排结构.形成......
研究了软畴段的分界面内场与三类硬磁畴临界面内场的关系。实验发现，在相同温度下，软畴段的分界面内场与硬磁畴的起始软化面内场是相......
实验研究了直流偏场和面内场共同作用第Ⅰ类哑铃畴（IDs）的条泡转变现象．实验表明：1）存在3个特征直流偏场，即：条泡转变后的磁畴均为软泡的......
实验研究了直流偏场（Hb）下,面内场（Hip）对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线（VBL）稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴......
实验研究了面内场Ｈｉｐ对处于直流偏场Ｈｂ压缩状态下ⅡＤ畴壁中的垂布洛赫线链的影响，发现存在一个阈值直流偏场口口口口Ｈｂ）ｔｈ，当Ｈｂ〈（Ｈｂ）ｔｈ时，使ⅡＤ开始转变为......
实验研究了直流偏场（Hb）和面内场（Hip）联合作用下,液相外延石榴石磁泡薄膜中第Ⅰ类哑铃畴（ID）畴壁中垂直布洛赫线（VBL）的解体.通过实验得到......
实验研究了直流偏场和面内场共同作用下,液相外延石榴石磁泡膜中普通硬磁泡的条泡转变现象.实验表明,在室温下所有硬磁泡经条泡转......
研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和......
实验研究了直流偏场“整形”和面内场交替作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线（ＶＢＬ）的消失规律，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解......
1983年，Konish提出了超高密度布洛赫线存储器（BLM）方案。BLM存储技术采用条状磁畴中的负布洛赫线（VBL）对作为信息的载体，以VBL对的有无来......
研究了直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴畴壁中VBL链的消失,即软化过程.实验发现,当直流偏场Hb＞Hsb'时,第Ⅰ类哑铃畴的......
