三元层状碳化物Ti3AlC2兼具金属和陶瓷的特性,它像金属一样具有导电和导热性能,有相对较低的维氏硬度,在高温下具有良好的热震性,能用高速刀具进行加工而不需要润滑；也像陶瓷一样具有高的强度,高的熔点和良好的热稳定性。更具有应用价值的是它具有优于石墨和MoS2的自润滑性能。因此,近年来Ti3AlC2受到众多研究人员的关注。人们采用自蔓延高温合成(SHS)、热压烧结(HP)、热等静压(HIP)、放电等离子烧结(SPS)等各种工艺制备Ti3AlC2。然而自蔓延高温合成与其它制备方法相比,具有工艺简单、成本低廉、产物纯度高(反应转化率接近100%),且一经引燃就不需要对其进一步提供任何能量。为此我们对该工艺制备Ti3AlC2材料进行了研究。本文采用自蔓延高温反应合成(SHS)工艺,以Ti粉、Al粉、C粉为原料,在Ti-Al-C摩尔比一定时,研究添加TiC对自蔓延高温合成产物的影响,同时调节Al在原料中的含量,可以得到高纯度的Ti3AlC2陶瓷材料；此外,以Ti粉、Al粉、C粉、TiC粉为原料,研究掺杂Si及调节Al含量对自蔓延合成高纯度Ti3AlC2陶瓷材料的影响。应用X射线衍射、扫描电镜结合能谱仪、差热分析等实验仪器,研究在不同实验参数下所得产物的相组成、显微结构特征及反应机理,并讨论了Si作为反应助剂的作用。研究结果表明,选用摩尔比为2Ti/1.1Al/C/0.9TiC和2Ti/Al/C/0.9TiC/0.1Si的粉末进行配料,以球料比为10：1、球磨转速150r/min、混料4小时,在50MPa的压力下压制成坯,自蔓延高温合成的Ti3AlC2的晶体发育良好,并且纯度很高。且Si作为添加剂,可有效抑制Ti3AlC2合成过程中Ti2AlC杂相的生成。