本文首先概述了稀磁半导体近年来的发展，给出了目前正在研究的存储器件的基本原理。然后，论述了了基于平均场近似的唯象理论，及其建立基础，给出了本研究主要使用的DFT方法TB-LMTO-ASA概要。采用DFT计算中的TB-LMTO-ASA方法具体分析了(Ga,Fe)As的磁，及其结构特性，与广泛研究的(Ga,Mn)As进行了计算对比，并与相关报道的其它计算结果作了比较。结果表明，对于具有立方对称性结构的稀磁半导体，自旋-轨道耦合对材料特性的影响不大，LSDA近似可以给出令人满意的结果。在此基础上，对计算结果的比较发现，对于实验上两种典型的材料(无附加注入条件下)，n型(Ga,Fe)As与p型(Ga,Mn)As在磁特性上存在很大差异。 (Ga,Mn)As的基态始终具有铁磁性质，且单胞内磁矩保持恒定，不随所研究的浓度而改变。对它的态密度分析表明，(Ga,Mn)As在理想情况下具有理想的半金属特性，费米能级附近存在强的Mnd态与As4p态杂化。相对而言，(Ga,Fe)As的磁特性随浓度而发生变化，高浓度下倾向于稳定的反铁磁性基态，低浓度下(Fe掺杂小于1/8)呈现较弱的铁磁性基态。态密度分析表明，(Ga,Fe)As在理想情况下具有弱金属特性，费米能级附近，Fed态与As4p态杂化亦很微弱。由此可见，过渡金属d态与GaAs价带态之间的杂化对于材料的铁磁性起着重要作用。目前为止，除高温下存在铁离子簇化的样品外，实验上没有明显的铁磁性(Ga,Fe)As，可能存在如下原因：首先，在所考虑的理想状态，对于x=1/8，尽管铁磁态在能量上略占优势，但其与反铁磁AFM态的能量差几乎可以忽咯，即使存在铁磁态，Tc将会很小而不易测量。其次，在真实的样品中，材料的特性会受到各种条件的影响，如局域缺陷；可能存在着FeAs，Fe2As及FeAs2等杂相而影响到微弱的铁磁性。更重要的是考虑到计算结果对浓度的依赖，样品中的替代无序亦可能增加AFM态的竞争性。 最后，简单概述了其它室温稀磁半导体的进展，如(Ga,M)N，(Zn,M)O，M=V，Cr,Mn,Fe,Co,Ni等，除较高的Tc外(如Ga1-xMnxN，x=0.09，Tc=940K)，DFT计算表明，他们的态密度已呈现出与GaAs基的DMSs极其不同的特征，基于(Ga,Mn)As的载流子调制铁磁性模型完全不能适用。目前，这些室温DMS的机制仍在研究之中，另外，也概略回顾了DFT计算所取得的成就，显示出DFT在以下方面是一个不可替代的工具；1)提供对材料特性的微观解释，2)预测新的材料，3)为唯象模型提供必要的参量。