陶瓷材料具有高强度高硬度以及优异的高温稳定性等诸多优势,被认为是航空发动机的首选材料。但较高的强硬度导致传统CNC（Computerized Numerical Control Machine）成型工艺只能切削简单形状构件,并且成本高、成型精度低,在复杂结构陶瓷构件的成型上存在较大的局限性,使其应用范围受到限制。因此本文以SiO₂-HPSO/DVB陶瓷前驱体为原料体系,采用DIP（Direct Inject Printing）成型的方法制备了多种结构陶瓷前驱体构件,通过无压裂解制备了致密的SiO_C陶瓷构件,并研究了墨水的流变学性能、DIP成型工艺、裂解温度对SiO_C陶瓷构件的尺寸收缩行为、微观组织成分及力学性能的影响。研究结果表明:19.35%SiO₂-HPSO/DVB体系在剪切速率r=0.13（1/s）条件下粘度达到了1448.82（Pa·s）,并且存在固态和液态转变的屈服点,适于作为DIP成型原料。DIP成型制备的SiO_C陶瓷构件在墨水交叉相接处以及垂直相接处的界面均连接良好。Z方向线收缩率只与裂解温度和片层厚度有关,且随着温度提高线收缩率增大,片层厚度提高线收缩率减小。此外证明了平面的线收缩率与模型的孔结构有关而与孔的大小无关。19.35%SiO2-HPSO/DVB陶瓷前驱体的交联过程为Si-H与C=C发生硅氢加成反应。裂解温度达到800℃体系成为无机相,随温度升高,[SiO₄-XCX]中X高取值结构含量增加,SiO_C陶瓷体系逐渐由非晶相向β-Si C相转变。中间产物石墨C与SiO₂在高温下发生碳热还原反应,并且阻碍了晶粒的短程扩散,抑制β-Si C和tSiO₂的晶化。通过DIP成型制备的SiOC陶瓷由于陶瓷颗粒表面由于石墨的润滑作用、陶瓷颗粒的尺寸减小、纤维状物质的生长导致SiO_C陶瓷的硬度、抗压强度、抗弯强度均随裂解温度的升高而降低。Vprint/Vinject比值较大时,墨水无法均匀拉长而出现断续变细行为,变细处成为结构缺陷,在受力过程中出现应力集中而出现局部结构的破坏,进而降低SiO_C陶瓷的力学性能。实测80%填充的构件抗弯性能与100%填充度没有明显差别,但随着填充度的进一步降低,内部支撑材料不足导致抗弯性能下降。此外非100%填充的陶瓷构件内部会包裹部分空气,在高温条件下易与陶瓷本身发生反应而造成陶瓷成分和微观结构的变化,这种变化直接影响陶瓷的力学性能。