超宽带CMOS低噪声放大器的研究

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高速超宽带通讯和低成本是当今无线通讯技术重要的发展方向,而低噪声放大器(LNA)作为无线接收机的第一级,其良好的性能是实现正常通讯的重要保障,所以研究超宽带CMOS低噪声放大器意义重大。本论文正是基于先进的CMOS工艺,对宽带、超宽带无线应用中的关键模块--超宽带低噪声放大器进行研究、设计,仿真得出高性能的UWB LNA结果。本论文在参考大量相关文献的基础上,基于TSMC 0.18μm CMOS工艺选取合适的超宽带低噪声放大器的拓扑结构,进行深入分析和研究,通过ADS软件对TSMC的NMOS管S参数、噪声指数和功率等信息进行仿真,获得特定条件下的MOS管数值;采用新颖的电路结构(共源共栅源极去耦结构和共源结构)设计了两款符合超宽带标准的CMOS低噪声放大器,结果达到设计指标。通过Cadence的Virtuso软件,给出这两款超宽带CMOS低噪声放大器的版图设计。在超宽频带内实现了小于4dB的噪声系数和12dB的平坦增益,输入输出匹配优于-10dB,而功耗仅为30mw。
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